WT5112非隔离12V1A

WT5112是一款非隔离式AC-DC降压开关电源控制芯片，设计用于实现12V/1A（12W） 输出的低成本、紧凑型电源方案。以下是其核心特性与应用解析：

一、核心功能定位
非隔离拓扑：采用Buck非隔离电路结构，省略了高频变压器，体积小、成本低，但需注意安全隔离要求
输出规格：典型设计目标为直流12V输出电压，最大持续输出电流1A，功率12W。
应用场景：12V辅助电源、小家电供电、LED驱动、智能家居模块电源等对成本敏感且空间受限的12V设备。
二、关键性能参数（典型值参考）
输入电压范围
宽压输入：220VAC – 265VAC
开关频率
开关频率：约45kHz – 65kHz（优化EMI与效率平衡）
效率与能效
典型效率：≥75%（满负载条件）
待机功耗：＜75mW（符合国际节能标准）
保护功能
保护类型    触发机制
过载保护 (OLP)    输出电流≥1.2A时限流/打嗝模式
短路保护 (SCP)    输出短路时自动重启
过温保护 (OTP)    芯片温度≥150℃时关断输出
过压保护 (OVP)    反馈环路异常时锁定
三、封装与引脚设计
封装形式：SOT23-6
核心引脚功能：
VDD：芯片供电（通常由辅助绕组或高压启动电路供电）
GND：接地
FB：输出电压反馈（连接光耦或分压电阻）
CS：电流采样（检测MOSFET电流）
外置MOS驱动：外置高压开关管
四、典型应用电路设计要点
输入滤波
需配置X电容、共模电感及安规电容（Y电容），满足EMC标准

功率转换核心

整流桥：选3A/1000V规格
续流二极管：需1A/1000V以上肖特基二极管
输出电容：470μF/16V 低ESR电解电容 + 0.1μF陶瓷电容去耦
反馈控制
反馈电阻精度需±1%以保证12V输出精度。