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12V升20V升24V升压4A芯片WT3207
来源: | 作者:finance-60 | 发布时间: 85天前 | 50 次浏览 | 分享到:
WT3207是一款高效率的PWM升压控制芯片,非常适合用于实现12V升20V或24V且输出电流为4A的应用方案。

12V升20V升24V升压4A芯片WT3207

WT3207是一款高效率的PWM升压控制芯片,非常适合用于实现12V升20V或24V且输出电流为4A的应用方案。

芯片特性

宽输入电压范围:5V至36V,完全兼容12V的输入电压。
高效率:效率可高达95%,能有效减少能量转换过程中的损耗和发热,这对于4A大电流输出应用尤为重要。
强大的外置MOS驱动能力:允许驱动大型外部MOSFET,满足高功率输出需求,是实现4A输出的关键。
其他特性:包括330kHz的固定振荡器频率、PWM电流模式控制、1uA的低电流关断模式、可编程欠压锁定(UVLO)、SOP-8封装以及温度保护功能,确保了电路在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
电路设计要点

输入滤波电路: 在12V输入端建议并联一个100μF的电解电容和一个0.1μF的陶瓷电容。电解电容用于滤除低频纹波,陶瓷电容用于滤除高频噪声,为芯片提供稳定的输入电源。

升压电路核心元件选择:

电感:电感是升压电路的关键。对于4A的输出电流,建议选择电感值在10μH到33μH之间,且额定电流需大于4A的功率电感。
输出电容:用于输出滤波和平滑电压。在输出端可并联使用一个470μF的电解电容和一个0.1μF的陶瓷电容。
反馈电路: WT3207通过FB(反馈)引脚进行电压调节。需要连接一个电阻分压网络到输出端,将输出电压反馈给芯片内部。通过精确计算分压电阻的阻值,可以将输出电压稳定在20V或24V。

MOSFET选择: 由于需要输出4A的大电流,必须选择合适的外置MOSFET。选择时应重点考虑其漏极电流、栅极阈值电压、导通电阻(Rds(on))等参数,确保MOSFET能够承受电路中的功率损耗和热应力。

PCB布局注意事项:

电源路径:输入和输出的主电源线路应尽量宽,以降低线路电阻和电压降,保证大电流通过时的稳定性。
芯片散热:WT3207在输出大电流时会产生明显热量,PCB布局时需考虑散热问题,必要时可增加敷铜面积或加装散热片。