WT5110使用ACtoDC非隔离外挂MOS管做220v转12v1a

针对WT5110芯片使用AC/DC非隔离外挂MOS管设计220V转12V/1A电源的方案，以下是关键要点和设计建议：

一、方案核心架构
拓扑选择
Buck-Boost或Buck拓扑：WT5110通常支持非隔离降压（Buck）架构，需确认芯片是否支持220V高压输入（需前级PFC或高压MOS管配合）。
非隔离设计风险：输出端与市电不隔离，需严格标注安全警告，避免直接接触。
外挂MOS管选型
耐压与电流：MOS管需满足输入高压（如≥600V）和输出电流（1A对应约0.1A初级侧电流，考虑余量选≥5A）。
推荐型号：如4N60-6N60（600V/4-6A）或类似高压MOSFET，注意导通电阻（Rds(on)）和开关损耗。
二、关键电路设计
输入级处理
整流滤波：半波整流+桥堆整流 + 高压电解电容（如400V/10μF）滤除工频纹波。
浪涌保护：加入NTC热敏电阻（如5D-9）和TVS二极管（如P6KE400A）。
WT5110外围电路
反馈网络：通过电阻分压（如12V输出对应FB引脚约1V参考电压）调节输出电压。
输出级设计
LC滤波：电感选用饱和电流≥5A的功率电感（如500μH），输出电容建议低ESR电解电容（如470μF/25V）。
三、效率与散热优化
效率估算
非隔离方案效率通常为70%-85%，需优化MOS管驱动和续流二极管（如选用肖特基二极管ES5J）。
散热措施
MOS管加装散热片，PCB布局时预留足够铜箔面积散热。
四、安全与测试注意事项
安全规范
符合安规距离（如输入-输出间≥4mm creepage），避免高压爬电风险。
输出端增加过压保护（如稳压管12V/1W）。
测试验证
空载/满载测试输出电压稳定性，检查MOS管温升（建议≤70℃）。